關於實驗報告 篇一
實訓報告
實訓題目：
實訓地點：
指導教師：
學生班級：
學生學號：
實訓時間：
一。 實訓目的
1、通過該實訓，使學生認識SMT組裝過程中常用的元器件類別，標識。對錶面組裝器件有一個感性的認識。
2、在實訓過程中，學習最基本的元器件的識別方法，瞭解元器件在SMT生產過程中的應用及作用。
二。 實訓要求
1．聽從指導教師的指導。
2．實訓過程不要將無關的物品帶入實訓室。
3．不要損壞實訓器材。
4．不要操作與本次實訓無關的軟件。
三。 實訓時間
第五週 週一第一大節
四。 實訓地點
一教樓五樓507機房
五。 實訓總結
1) 表面貼裝元器件的特點、分類
① 如何區別貼片電阻與貼片電容？在PCB板上的標識是什麼？
貼片電阻都是黑色的並且實物上都印有該電阻的阻值或阻值的代碼。貼片電容上面沒有印字，這是和他的製作工藝有關（貼片電容是經過高温燒結面成，所以沒辦法在它的表面印字），而貼片電阻是絲印而成（可以印刷標記）。電阻：R 電容：C
② 如何區別貼片電阻與貼片電感？在PCB板上的標識是什麼？
貼片電阻一般上面有數字表示阻值，另一面是白色瓷體，扁平長方形狀。
貼片電感形狀是扁方形的，中間是個圓盤，裏面可以看到線圈。
電阻：R 電感：L
③ 如何區別貼片電感與貼片電容？在PCB板上的標識是什麼？
貼片電容一般電容體顏色較深一些，用萬用表電阻檔量是開路的，沒有標誌。貼片電感一般有白色的、線繞的等，用萬用表電阻檔量是短路的，一般會標電感值在上面。 電感：L 電容：C
2) 片式電阻的結構、精度分類、外形及標註方式、識別方法。主要技術指標。
標註方式：1.阻值精度為±5%，±10％， ±20％時，採用3位數字表示
① R≥10歐，前兩位為電阻的有效數字，第三位表示後面“0”的個數。如：150表示15×100=15Ω
② R<10歐，在小數點處加“R”如：4.8歐 表示為 4R8
2、阻值精度為±1%，±2％時，採用4位數字表示。
若電阻值R ≥100Ω:前三位是有效數字，第四位表示有效數字所加“0”的個數。例：20xx表示為：200×102=20000Ω=20kΩ
若電阻值R在10～100Ω之間: 在小數點處加“R”。例：15.5Ω記為15R5
若電阻值R<10Ω:在小數點處加“R”，不足四位在末尾加“0”。例：4.8Ω記為4R80
識別方法：貼片電阻一般上面有數字表示阻值，另一面是白色瓷體，扁平長方形狀。
主要技術指標：SMT電阻器的體積很小，但它的數值範圍和精度並不差，見
表2-3。3216系列的阻值範圍是0.39Ω～10MΩ，額定功率可達到1/4W，允許偏差有±1%、±2%，±5%和±10%等四個系列，額定工作温度上限是70℃。
3) 片式電阻網絡的結構分類、特點、主要的參數。
結構分類：SOP型、芯片功率型、芯片載體型和芯片陣列型
特點：在一個電阻網絡中含有多個參數與性能一致的電阻。
主要的參數:精度一般為J（5%），G（2%），F（1%）
4) 片式電容的結構和特性、精度分類、外形及標註方式。主要技術指標。
結構:主要包括三大部分：陶瓷介質，金屬內電極，金屬外電極。而多層片式陶瓷電容器它是一個多層疊合的結構，簡單地説它是由多個簡單平行板電容器的並聯體。 特性:1.小型化、低高度化 2.高頻低阻抗、低損耗3.高耐熱性、長壽命、高可靠性4.環保
精度分類:一般分為3級：I級±5%，II級±10%，III級±20%。在有些情況下，還有0級，誤差為±20%。 常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005級——±0.5%；F——01級——±1%；G——02級——±2%；J——I級——±5%；K——II級——±10%；M——III級——±20%。
外形:
標註方式:（1） 直標法：用字母和數字把型號、規格直接標在外殼上。
（2） 文字符號法：用數字、文字符號有規律的組合來表示容量。文字符號表示其電容量的單位：P、N、u、m、F等。和電阻的表示方法相同。標稱允許偏差也和電阻的表示方法相同。小於10pF的電容，其允許偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。
（3） 色標法：和電阻的表示方法相同，單位一般為pF。小型電解電容器的耐壓也有用色標法的，位置靠近正極引出線的根部。 主要技術指標:（1）額定工作電壓：對於結構、介質、容量相同的器件，耐
壓越高，體積越大
（2）温度係數：在一定温度範圍內，温度每變化1℃，電容
量的相對變化值。温度係數越小越好。
（3）絕緣電阻：用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。
（4）損耗：在電場的作用下，電容器在單位時間內發熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。
（5）頻率特性：電容器的電參數隨電場頻率而變化的性質。在高頻條件下工作的電容器，由於介電常數在高頻時比低頻時小，電容量也相應減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時，電容器的分佈參數，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的性能。
5) 片式鉭電解電容器結構特徵、分類、特點，主要特性指標，識別方法。
結構特徵：固體鉭電解電容器的正極是鉭粉燒結塊，絕緣介質為TaO5，負極為MnO2固體電解質。將電容器的芯子焊上引出線後再裝人外殼內，然後用橡膠塞封裝，便構成了固體鉭電解電容器。液體鉭電解電容器的製造工藝比固體鉭電解電容器較為簡單，電容器的芯子直接由鉭粉燒結塊經陽極氧化製成，再把電容器芯子裝入含有硫酸水溶液或凝膠體硫酸硅溶液的銀外殼中，然後用氟橡膠密封塞進行卷邊密封而成，硫酸水溶液等液體電解質為電容器的負極。
分類：燒結型固體、箔形卷繞固體、燒結型液體。
特點：壽命長、耐高温、準確度高、濾高頻改波性能極好，不過容量較小、價格也比鋁電容貴，而且耐電壓及電流能力相對較弱。
識別方法：表面有絲印，有極性。有多種顏色主要有黑色、黃色等。鉭電容表面有一條白色絲印用來表示鉭電容的正極，並且在絲印上標明有電容值和工作電壓，大部分生產廠家還在絲印上加註一些跟蹤標記。
6) SMD的'特點、按引腳形狀分為幾類，名稱是什麼？ 特點：組裝密度高、電子產品體積小、重量輕，貼片元件的體積和重量只有傳統插裝元件的1/10左右，一般採用SMT之後，電子產品體積縮小40%~60%，重量減輕60%~80%。可靠性高、抗振能力強。焊點缺陷率低。高頻特性好。減少了電磁和射頻干擾。易於實現自動化，提高生產效率。降低成本達30%~50%。節省
關於實驗報告 篇二
摘要:
電子自旋共振(Electron Spin Resonance)，縮寫為ESR,又稱順磁共振(Paramagnetic Resonance)。它是指處於恆定磁場中的電子自旋磁矩在射頻電磁場作用下發生的一種磁能級間的共振躍遷現象。這種共振躍遷現象只能發生在原子的固有磁矩不為零的順磁材料中，稱為電子順磁共振。1944年由前蘇聯的柴伏依斯基首先發現。它與核磁共振(NMR)現象十分相似，所以1945年Purcell、Paund、Bloch和Hanson等人提出的NMR實驗技術後來也被用來觀測ESR現象。目前它在化學、物理、生物和醫學等各方面都獲得了極其廣泛的應用。用電子自旋共振方法研究未成對的電子，可以獲得其它方法不能得到或不能準確得到的數據。如電子所在的位置，遊離基所佔的百分數等等。
1939年美國物理學家拉比用他創立的分子束共振法實現了核磁共振。1945年至1946年珀賽爾小組和布洛赫小組分別在石蠟小組分別在石蠟和水中觀測到穩態核磁共振信號，從而在宏觀的凝聚物質中取得成功。此後，核磁共振技術迅速發展，還滲透到生物、醫學、計量等學科領域以及眾多生產技術部門，成為分析測試中不可缺少的實驗手段。
關鍵詞：電子自旋共振 共振躍遷 鐵磁共振 g因子
引言：
順磁共振（EPR）又稱為電子自旋共振（ESR），這是因為物質的順磁性主要來自電子的自旋。電子自旋共振即為處於恆定磁場中的電子自旋在射頻場或微波場作用下的磁能級間的共振躍遷現象。研究瞭解電子自旋共振現象，測量有機自由基DPPH的g因子值，瞭解和掌握微波器件在電子自由共振中的應用，從矩形諧振長度的變化，進一步理解諧振腔的駐波。
鐵磁共振和順磁共振、核磁共振一樣是研究物質宏觀性能和微觀結構的有效手段本實驗採用掃場法進行微波鐵磁材料的共振實驗。即保持微波頻率不變，連續改變外磁場，當外磁場與微波頻率之間符合一定的關係時，可發生射頻磁場的能量被吸收的鐵磁共振現象。微波鐵磁共振在磁學和固體物理學中佔有重要地位。它是微波鐵氧體物理學的基礎。微波鐵氧體在雷達技術和微波通信方面有重要的應用。
順磁共振
1、實驗原理：
一、電子的自旋軌道磁矩與自旋磁矩
原子中的電子由於軌道運動，具有軌道磁矩，其數值為：
e
2me?l?？Pl 負號表示方向同Pl相反
在量子力學中Pl?
l?e?B 其中？B?e?2me稱為玻爾磁子。
電子除了軌道運動外還具有自旋運動，因此還具有自旋磁矩，
其數值表示為：？s?？emePs?由於原子核的磁矩可以忽略不計，原子中電子的軌道磁矩和自旋磁矩合成原子的總磁矩：？j?？ge2mePj 其中g是朗德因子，g?1?j(j?1)？l(l?1)？s(s?1)2j(j?1)
在外磁場中原子磁矩要受到力的作用，其效果是磁矩繞磁場的方向作旋進，也就是Pj繞着磁場方向作旋進，引入回磁比？?？ge
2me，總磁矩可表示成？j?？Pj。同時原子角動
量Pj和原子總磁矩？j取向是量子化的。Pj在外磁場方向上的投影為：
Pj?m? m?j,j?1,j?2,？?j
其中m稱為磁量子數，相應磁矩在外磁場方向
？j?？m?？?mg?B m?j,j?1,j?2,？?j
二、電子順磁共振
原子磁矩與外磁場B相互作用可表示為：E?？?j?B?？mg?BB?？?m?B
不同的磁量子數m所對應的狀態表示不同的磁能級，相鄰磁能級間的能量差為？E?？?B，它是由原子受磁場作用而旋進產生的附加能量。
如果在原子所在的穩定磁場區又疊加一個與之垂直的交變磁場，且角頻率？滿足條件 ？?？g?BB即？?？?E?？?B，剛好滿足原子在穩定外磁場中的鄰近二能級差時，二鄰
近能級之間就有共振躍遷，我們稱之為電子順磁共振。
當原子結合成分子或固體時，由於電子軌道運動的角動量常是猝滅的，即Pj近似為零，
所以分子和固體中的磁矩主要是電子自旋磁矩的貢獻。根據泡利原理，一個電子軌道最多隻能容納兩個自旋相反的電子，若電子軌道都被電子成對地填滿了，它們的自旋磁矩相互抵消，便沒有固有磁矩。通常所見的化合物大多數屬於這種情況，因而電子順磁共振只能研究具有未成對電子的特殊化合物。
三、弛豫時間
實驗樣品是含有大量具有不成對電子自旋所組成的系統，雖然各個粒子都具有磁矩，但是在熱運動的擾動下，取向是混亂的，對外的合磁矩為零。當自旋系統處在恆定的外磁場H0中時，系統內各質點的磁矩便以不同的角度取向磁場H0的方向，並繞着外場方向進動，從而
形成一個與外磁場方向一致的宏觀磁矩M。當熱平衡時，分佈在各能級上的粒子數服從波耳茲曼定律，即：
N2
N1?exp（？E2?E1kT）？exp（？?EkT）
式中k是波耳茲曼常數，k=1.3803×10-16（爾格/度），T是絕對温度。計算表明，低能級上的粒子數略比高能級上的粒子數多幾個。這説明要現實出宏觀的共振吸收現象所必要的條件，既由低能態向高能級躍遷的粒子數比由高能級向低能級躍遷的粒子數要多是滿足的。正是這一微弱的上下能級粒子數之差提供了我們觀測電子順磁共振現象的可能性。
2、實驗裝置
微波順磁共振實驗系統由三釐米固態信號發生器，隔離器，可變衰減器，波長計，魔T，匹配負載，單螺調配器，晶體檢波器，矩形樣品諧振腔，耦合片，磁共振實驗儀，電磁鐵等組成，為使聯結方便，增加了H面彎波導，波導支架等元件
三釐米固態信號發生器：是一種使用體效應管做振盪源的信號發生器，為順磁共振實驗系統提供微波振盪信號。
隔離器：位於磁場中的某些鐵氧體材料對於來自不同方向的電磁波有着不同的吸收，經過適當調節，可使其哦對微波具有單方向傳播的特性。隔離器常用於振盪器與負載之間，起隔離和單向傳輸作用。
可變衰減器：把一片能吸收微波能量的吸收片垂直與矩形波導的寬邊，縱向插入波導管即成，用以部分衰減傳輸功率，沿着寬邊移動吸收可改變衰減量的大小。衰減器起調節系統中微波功率以及去耦合的作用。
波長表：電磁波通過耦合孔從波導進入頻率計的空腔中，當頻率計的腔體失諧時，腔裏的電磁場極為微弱，此時，它基本上不影響波導中波的傳輸。當電磁波的頻率滿足空腔的諧振條件時，發生諧振，反映到波導中的阻抗發生劇烈變化，相應地，通過波導中的電磁波信號強度將減弱，輸出幅度將出現明顯的跌落，從刻度套筒可讀出輸入微波諧振時的刻度，通過查表可得知輸入微波諧振頻率。
匹配負載：波導中裝有很好地吸收微波能量的電阻片或吸收材料，它幾乎能全部吸收入射功率。
微波源：微波源可採用反射式速調管微波源或固態微波源。本實驗採用3cm固態微波源，它具有壽命長、輸出頻率較穩定等優點，用其作微波源時，ESR的實驗裝置比採用速調管簡單。因此固態微波源目前使用比較廣泛。通過調節固態微波源諧振腔中心位置的調諧螺釘，可使諧振腔固有頻率發生變化。調節二極管的工作電流或諧振腔前法蘭盤中心處的調配螺釘可改變微波輸出功率。
魔 T：魔 T是一個具有與低頻電橋相類似特徵的微波元器件，如圖（2）所示。它有四個臂，相當於一個E～T和一個H～T組成，故又稱雙T，是一種互易無損耗四端口網絡，具有“雙臂隔離，旁臂平分”的特性。利用四端口S矩陣可證明，只要1、4臂同時調到匹配，則2、3臂也自動獲得匹配；反之亦然。E臂和H臂之間固有隔離，反向臂2、3之間彼此隔離，即從任一臂輸入信號都不能從相對臂輸出，只能從旁臂輸出。信號從H臂輸入，同相等分給2、3
臂；E臂輸入則反相等分給2、3臂。由於互易性原理，若信號從
反向臂2，3同相輸入，則E臂得到它們的差信號，H臂得到它們
的和信號；反之，若2、3臂反相輸入，則E臂得到和信號，H臂
得到差信號。
當輸出的微波信號經隔離器、衰減器進入魔 T的H臂，同相
等分給2、3臂，而不能進入E臂。3臂接單螺調配器和終端負載；
2臂接可調的反射式矩形樣品諧振腔，樣品DPPH在腔內的位置可
調整。E臂接隔離器和晶體檢波器；2、3臂的反射信號只能等分給E、H臂，當3臂匹配時，E臂上微波功率僅取自於2臂的反射。 右圖 魔T示意圖
樣品腔：樣品腔結構，是一個反射式終端活塞可調的矩型諧振腔。諧振腔的末端是可移動的活塞，調節活塞位置，使腔長度等於半個波導波長的整數倍（l?p?g/2）時，諧振腔
諧振。當諧振腔諧振時，電磁場沿諧振腔長l方向出現P個長度為？g/2的駐立半波，即TE10P模式。腔內閉合磁力線平行於波導寬壁，且同一駐立半波磁力線的方向相同、相鄰駐立半波磁力線的方向相反。在相鄰兩駐立半波空間交界處，微波磁場強度最大，微波電場最弱。滿足樣品磁共振吸收強，非共振的介質損耗小的要求，所以，是放置樣品最理想的位置。 在實驗中應使外加恆定磁場B垂直於波導寬邊，以滿足ESR共振條件的要求。樣品腔的寬邊正中開有一條窄槽，通過機械傳動裝置可使樣品處於諧振腔中的任何位置並可以從窄邊上的刻度直接讀數，調節腔長或移動樣品的位置，可測出波導波長？。
3、實驗步驟：
1、連接系統，將可變衰減器順時針旋至最大， 開啟系統中各儀器的電源，預熱20分鐘。
2、將磁共振實驗儀器的旋鈕和按鈕作如下設置: “磁場”逆時針調到最低，“掃場” 逆時針調到最低，按下“調平衡/Y軸”按鈕（注：必須按下），“掃場/檢波”按鈕彈起，處於檢波狀態。（注：切勿同時按下）。
3、將樣品位置刻度尺置於90mm處，樣品置於磁場正中央。
4、將單螺調配器的探針逆時針旋至“0"刻度。
5、信號源工作於等幅工作狀態，調節可變衰減器使調諧電錶有指示，然後調節“檢波靈敏度”旋鈕， 使磁共振實驗儀的調諧電錶指示佔滿度的2/3以上。
6、用波長表測定微波信號的頻率，方法是：旋轉波長表的測微頭，找到電錶跌破點，查波長表——刻度表即可確定振盪頻率，使振盪頻率在9370MHz左右，如相差較大，應調節信號源的振盪頻率，使其接近9370MHz的振盪頻率。測定完頻率後，將波長表旋開諧振點。
7、為使樣品諧振腔對微波信號諧振，調節樣品諧振腔的可調終端活塞，使調諧電錶指示最小，此時，樣品諧振腔中的駐波分佈如圖7-4-5所示。
圖7-4-5 樣品諧振腔中的駐波分佈示意圖
關於實驗報告 篇三
一、實驗目的及要求：
本實例的目的是設置頁面的背景圖像，並創建鼠標經過圖像。
二、儀器用具
1、生均一台多媒體電腦，組建內部局域網，並且接入國際互聯網。
2、安裝windows xp操作系統；建立iis服務器環境，支持asp。
3、安裝網頁三劍客(dreamweaver mx;flash mx;fireworks mx)等網頁設計軟件；
4、安裝acdsee、photoshop等圖形處理與製作軟件；
5、其他一些動畫與圖形處理或製作軟件。
三、實驗原理
設置頁面的背景圖像，並創建鼠標經過圖像。
四、實驗方法與步驟
1)在“頁面屬性”對話框中設置頁面的背景圖像。
2)在頁面文檔中單擊“”插入鼠標經過圖像。
五、討論與結論
實驗結束後我們可以看到頁面的背景變成了我們插入的圖像，並且要鼠標經過的時候會變成另一個圖像，這就是鼠標經過圖像的效果。當然這種實驗效果很難在實驗結果的截圖裏表現出來。這個實驗的關鍵在於背景圖像的選擇，如果背景圖像太大不僅會影響網頁的打開速度，甚至圖像在插入會也會有失真的感覺，因此在插入前對圖像進行必要的處理能使實驗的效果更好。
關於實驗報告 篇四
實驗名稱、光盤刻錄機的使用操作
實驗儀器、DVD光盤刻錄機和CD刻錄機
實驗步驟、
CD和 VCD的操作步驟是、
1、啟動NERO軟件，依次選擇CD，視頻和製作視頻光盤。
2、在“我的視頻光盤”對話框中，按“添加”按鈕添加視頻文件，大小不超過光盤的容量、如果只有一個視頻，可以不勾選“啟動VCD菜單，單擊“屬性”可以更改視頻軌道的標題等信息。添加完文件後單擊“下一步”，按鈕。
3、在“我的視頻光盤菜單”對話框中設置內容編排，背景，文字標題等信息。
4、單擊“下一步”按鈕，進入刻錄參數設置界面並刻錄光盤。
DVD光盤的刻錄、
1、打開NERO軟件，在刻錄光盤類型上一欄選擇刻錄DVD的格式。
2、添加數據文件，注意選擇DVD光盤上的刻錄類型。
3、在光盤內容的對話框中，單擊“添加”進行文件添加。
4、在“選擇文件及文件夾”對話框，在“位置”選擇驅動器，然後選擇目錄或文件，單擊“添加到刻錄列表，添加完畢，按”已完成”關閉對話框。
5、此時返回到“光盤內容”對話框，藍色為當前容量指示條，刻錄的文件大小不能超過光盤容量上限。
6、在“最終刻錄設置“對話框裏設置刻錄參數。
7、“刻錄過程”對話框。
8、在“刻錄過程”對話框中單擊“下一步”，然後單擊“退出”，選擇“不保存”，關閉NERO軟件界面窗口，光驅會自動彈出光盤。
實驗目的、在於瞭解光盤刻錄機的作原理，能夠進行日常維護，能夠排除遇到的常見故障，實驗是因為使操作人員應掌握光盤刻錄機的操作步驟，學會使用光盤對文件資料進行分發和拷貝與永久存檔，在實際工作中能勝任電子資料的管理工作。這實驗操作以便在日常辦公國內工程中靈活進行移動文件存儲，提高辦公效率。
實驗總結、
1、CD光盤是不是能重複刻錄，DVD光盤只能刻錄一次
2、VD的光盤和刻錄CD的光盤是不是不一樣的？
是的，是不一樣的，刻錄DVD的是DVD—R CD的是CD—R
cd刻錄空盤 dvd刻錄空盤 都是存放數據資料的 音樂cd 視頻vcd 視頻dvd 廣義來説也是數據dvd刻錄盤容量大 單面單層dvd一般在4.3g左右 能存放3.5g左右數據 別放多了很容易飛盤的 cd刻錄盤容量相對就小很多 一般就700mb 可放650mb至680mb的數據 也別放太多 會刻飛的 另外還有 cd—rw 和dvd—rw 是可以反覆擦寫的刻錄盤 這樣的盤比普通刻盤較貴一點 刻錄機出現故障的原因、這是因為系統安裝了nero express後，自帶的cd刻錄功能被屏蔽了導致。
步驟一、在系統下打開 "運行"，輸入services。msc，確定後彈出一個"服務"設置窗口，找到imapi cd—burning com services 項目，雙擊該項目，把啟動類型由禁用改為自動，確定後重啟系統。 步驟二、打開"我的電腦"，選擇刻錄機的驅動器屬性，在刻錄的選項卡中，把"這個設備上啟動cd錄製"前打勾，再重新放入空白光盤，就可以正常顯示了。
或者在系統下打開 "運行"，輸入services。msc，確定後彈出一個"服務"設置窗口，找到imapi cd—burning com services 項目，雙擊該項目，把啟動類型由禁用改為自動，確定後重啟系統。
如何刻錄光盤及注意事項？
1、你的光驅必須是支持刻錄功能。
2、準備新買來的空白光盤，可以是CD或DVD型號。
3、準備安裝刻錄軟件，比如NERO等。
4、放入空白光盤，打開NERO軟件，選擇你像刻錄的類型複製即可。
5、質量好的光盤的話，建議使用52X，一般為48X為刻錄速度。
注意、
1、不能隨意按下刻錄機的“彈出“鍵”。
2、未刻錄完不能隨意終止刻錄過程，否則光盤作廢。
關於實驗報告 篇五
《金工實習（一）》實驗報告
學習中心： 江蘇徐州豐縣奧鵬
層 次： 高中起點專科
專 業： 機械製造與自動化
年 級： 年春/秋 季
學 號：
學生姓名： 胡賀
1、請簡述根據所起的作用不同，切削運動可分為哪兩種運動。
答：切削運動可分為主運動和進給運動。
主運動是提供切削可能性的運動。在切削過程中，運動速度最高消耗機牀動力最大。
進給運動是提供繼續切削可能性的運動。
2、請簡述卧式銑牀的組成及其作用。
答：組成：牀身、主軸、縱向工作台、轉枱、橫向工作台、升降台、橫樑和底座等組成。
作用：
牀身是銑牀的基礎零件，用於支撐和連接銑牀各部件。
牀身的內部裝有傳動機構。
底座用於支撐牀身，並與地基連接。
3、請簡述牛頭刨牀的組成及作用。
答：組成：牀身、滑枕、刀架、橫樑、、工作台、底座。
作用：
牀身用於支撐和連接刨牀各部件、其頂部水平導軌供滑枕作往復運動用。
滑枕帶動刨刀作往復直線運到。
刀架滑枕前端安裝刨刀的部分。
橫樑可沿牀身前側垂直導軌上下移動。
工作台用於安裝夾具和工作。
4、刨牀主運動是什麼？
答：刨牀主運動是滑枕帶動刨刀的反覆運動為主運動。
5、平面磨牀的組成及其作用有哪些？
答：組成：平面磨慶由牀身、工作台、立柱、磨頭、電氣操作板組成。
作用：磨頭：砂輪裝在磨頭上，砂輪可高速旋轉，磨頭可沿慶身後部橫向導軌作橫向及前後移動或進給。磨頭還可沿立柱上的垂直導軌作垂向及上下移動或進給。 工作台安裝在牀身水平縱向導軌上由液壓傳動實現工作台的縱向及左右往復移動。工作台移動的速度可根據磨削加工的需要進行無級調速工作台裝有電磁吸盤。用以裝夾鋼、鑄造鐵等磁性工件。
6、外圓磨牀的組成及其作用有哪些？
答：組成：萬能外圓磨牀由牀身、工作台、工件頭架、尾座、砂輪架、電器操作板等組成。
作用：
砂輪架：砂輪裝在砂輪架上。砂輪由單獨電機驅動高速旋轉。砂輪架可沿牀身後部橫向導軌作橫向及前後移動或進給。
工作台：工作台有上下兩層。下層帶動整個工作台沿牀身水平縱向導軌作縱向及左右移動。上層可相對下層工作台翻轉一定 角度用以磨削錐面。
工件頭架：安裝在上工作台上根據工件的結構不同工件頭架上可以安裝卡盤，也可以安裝前頂尖。
7、請簡述Z412型台式鑽牀的工作特點。
答：
8、麻花鑽的結構包括哪些？
答：
9、擴孔鑽的特點有哪些？
答：
10、攻螺紋要點包括哪些？
答：
11、學習心得
為區分實驗報告是否獨立完成，請寫些自己對該實驗課程的想法或者學習心得。（本段在完成自己內容後刪除。）
關於實驗報告 篇六
實驗一 傳感器實驗
班號學號： 姓名同組同學
1、電阻應變片傳感器
一、實驗目的
（1） 瞭解金屬箔式應變片的應變效應，單臂電橋工作原理和性能。
（2） 瞭解半橋的工作原理，比較半橋與單臂電橋的不同性能、瞭解其特點 (3) 瞭解全橋測量電路的原理及優點。 (4) 瞭解應變直流全橋的應用及電路的標定 二、實驗數據
三、實驗結果與分析 1、性能曲線
A、單臂電橋性能實驗
由實驗數據記錄可以計算出的系統的靈敏度S=ΔU/ΔW=0.21(mV/g)，所以運用直線擬合可以得到特性曲線如下圖所示。
B、半橋性能實驗
由實驗記錄的數據我們可以得到半橋系統的靈敏度為S=ΔU/ΔW=0.41(mV/g)，所以我們可以運用直線擬合實驗數據得到性能曲線如下圖所示。
C、全橋性能實驗
由實驗記錄的數據我們可以得到全橋系統的靈敏度為S=ΔU/ΔW=0.78(mV/g)，所以我們可以運用直線擬合實驗數據得到性能曲線如下圖所示。
D、電子稱實驗
由實驗記錄的數據我們可以得到全橋系統的靈敏度為S=ΔU/ΔW=-1(mV/g)，所以我們可以運用直線擬合實驗數據得到性能曲線如下圖所示。
2、分析
a、從理論上分析產生非線性誤差的原因
由實驗原理我們可以知道，運用應變片來測量，主要是通過外界條件的變化來引起應變片上的應變，從而可以引起電阻的變化，而電阻的變化則可以通過電壓來測得。而實際中，電阻的變化與應變片的應變的變化不是成正比的，而是存在着“壓阻效應”，從而在實驗的測量中必然會引起非線性誤差。
b、分析為什麼半橋的輸出靈敏度比單臂時高了一倍，而且非線性誤差也得到改善。 首先我們由原理分析可以知道，單臂電橋的靈敏度為 e0=（ΔR/4R0）*ex，而半橋的靈敏度為e0=（ΔR/2R0）*ex，所以可以知道半橋的靈敏度是單臂時的兩倍，而由實驗數據中我們也可以看出，而由於半橋選用的是同側的電阻，為相鄰兩橋臂，所以可以知道e0=(ΔR1/R0-Δ
R2/R0)*ex/4，而ΔR1、ΔR2的符號是相反的，同時由於是同時作用，減號也可以將温度等其他因素引起的電阻變化的誤差減去而使得非線性誤差得到改善。
c、比較單臂、半橋、全橋輸出時的靈敏度和非線性度，並從理論上加以分析比較，得出結論。
由實驗數據我們可以大致的看出，靈敏度大致上為S全=2S半=4S單，而非線性度可以比較為單臂>半橋>全橋，有理論上分析，我們也可以得到相同的結果。主要是因為有電橋電路的原理分析可知：e0=（ΔR1/R-ΔR2/R+ΔR3/R-ΔR4/R）*eX/4，所以我們可以得到全橋的靈敏度等於半橋的兩倍，單臂的四倍，而非線性度我們也可以得到單臂最差，因為其他因素影響大，而半橋、全橋由於有和差存在，將其他因素的影響可以略去。所以非線性度相對來説較好。
d、分析什麼因素會導致電子稱的非線性誤差增大，怎麼消除，若要增加輸出靈敏度，應採取哪些措施。
主要是在於傳感器的精度以及測量時的誤差會導致電子稱的非線性誤差增大，我們可以通過增加傳感器的精度，同時減少傳感器的非線性誤差，通過全橋連接來減小，同時注意零點的設置，來消除非線性誤差。若要增加輸出靈敏度，可通過選取適當的電橋電路來改變，比如原來是半橋的改為全橋則可以增加輸出靈敏度。 四、思考題
1，半橋測量時，兩片不同受力狀態的電阻應變片接入電橋時，應放在：（2）鄰邊。2，橋路（差動電橋）測量時存在非線性誤差，是因為：（2）應變片的應變效應是非線性的。
3，全橋測量中，當兩組對邊（R1、R3為對邊）值R相同時，即R1=R3，R2=R4，而R1≠R2 時，是否可以組成全橋：（1）可以
4，某工程技術人員在進行材料測試時在棒材上貼了兩組應變片，如何利用這四片電阻應變片組成電橋，是否需要外加電阻。
不需要，只需如圖中右圖即可。
2、差動變壓器
一、實驗目的
（1） 瞭解差動變壓器的工作原理和特性。 (2) 瞭解三段式差動變壓器的結構。
（3） 瞭解差動變壓零點殘餘電壓組成及其補償方法。 (4) 瞭解激勵頻率對差動變壓器輸出的影響。 二、實驗數據
A、差動變壓器的性能測試
三、實驗結果與分析1、特性曲線
A、差動變壓器的性能測定
由實驗數據我們就可以得到微頭右移與左移的特性曲線。